鍍添加劑的效果機理
金屬的電堆積進程是分步進行的 : 首先是電活
性物質粒子遷移至陰鄰近的外赫姆霍茲層,進行
電吸附,然后,陰電荷傳遞至電上吸附的部分去
溶劑化離子或簡單離子,構成吸附原子,吸附
原子在外表上遷移,直到并入晶格。上述的第
一個進程都產生一定的過電位(分別為遷移過電位、
活化過電位和電結晶過電位) 。只要在一定的過電
位下,金屬的電堆積進程才具有足夠高的晶粒成核
速率、中等電荷遷移速率及提供足夠高的結晶過電
位,然后確保鍍層平坦致密光澤、與基體材料結合牢
固。而恰當的電鍍添加劑能夠進步金屬電堆積的過
電位,為鍍層質量提供有力的保障。
1 分散控制機理
在大多數情況下,添加劑向的分散(而不是
金屬離子的分散) 決議著金屬的電堆積速率。這是
因為金屬離子的濃度一般為添加劑濃度的100~
105 倍,對金屬離子而言,反應的電流密度遠遠
低于限電流密度。
在添加劑分散控制情況下,大多數添加劑粒子
分散并吸附在外表張力較大的凸突處、活性部
位及特殊的晶面上,致使外表吸附原子遷移到
外表凹陷處并進入晶格,然后起到整平亮光作
用。
2 非分散控制機理
依據電鍍中占控制位置的非分散要素,可將添
加劑的非分散控制機理分為電吸附機理、絡合物生
成機理(包含離子橋機理) 、離子對機理、改動赫姆霍
茲電位機理、改動外表張力機理等多種。
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